H0 系列包括一個硅或銦鎵砷雪崩光電二極管,帶有優(yōu)化的低噪聲混合前置放大器,可用于激光測距、激光雷達、分析應用。這些器件中使用的 Si-APD 有 SAR500、SAR1500 和用于 YAG 增強應用的 SAT800,在 400 nm 到 1100 nm 波長范圍內具有響應性,在所有波長上都具有極快的上升和下降時間。對于 900 nm 到 1700 nm 的波長范圍,我們使用了InGaAs-APD IAG080 和 IAG200。
所有接收器均可配備InGaAs-APD,因此可覆蓋 400 - 1100 和 1000 - 1650 nm 的波長范圍。
InGaAs-APD 接收器(SAR500H0、SAR1500H0)
產地:德國
存儲溫度:-55 ℃ 至 +100 ℃
工作溫度:-40 ℃ 至 +85 ℃
TIA 電源電壓(V):+/- 4(Min); +/- 5 ;+/- 6.5 (Max)
TIA 電源電流:30 mA
功率消耗:300 mW
焊接溫度(15 秒):260 °C
噪聲測量頻率:100 kHz
操作方式:脈沖操作
有效區(qū)域直徑:0.5 mm
波長范圍:400-1000 nm
峰值靈敏度:905 nm
帶寬:DC-20 MHz
響應度:
540 納米 1.35 MV/W
650 納米 2.00MV/W
905 納米 2.50MV/W
NEP:
540 納米 0.10 pW/rtHz
650 納米 0.06 pW/rtHz
905 納米 0.05 pW/rtHz
輸出噪聲密度:100 nV/rtHz
輸入參考噪聲密度:2 pA/rtHz
輸出電壓擺幅(1 MΩ):3 V
輸出電壓擺幅 (50 o):1.5 V
輸出偏移電壓:25 mV
光電測量、軍事、汽車領域、激光測距、激光雷達、分析應用